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江泽流;
电子束曝光;
机译:通过使用具有非化学放大抗蚀剂和曝光后烘烤的可变形状电子束光刻技术来制造高分辨率掩模
机译:低能电子束邻近投影光刻中的分辨率限制因素:掩模,投影和抗蚀剂工艺
机译:通过碳的电子束诱导沉积(EBID)与硅的金属辅助化学刻蚀(MaCE)结合,可对三维结构进行无掩模且无抗蚀剂的快速原型制作
机译:对掩模制作的电子束敏感抗蚀剂的比较评价
机译:使用蒸发的电子束抗蚀剂在非平面表面上开发高分辨率纳米光刻技术。
机译:通过使用非化学放大的抗蚀剂和曝光后烘烤来制造具有改善的线边缘粗糙度的高分辨率掩模
机译:化学放大抗蚀剂PSR在先进掩模制作中的应用。
机译:具有负性有机和无机抗蚀剂的高分辨率电子束光刻
机译:使用简化的有效方法以高分辨率实现精细图案-通过施加第一光刻胶,硅烷化和玻璃化表面,制作具有第二抗蚀剂层的掩模并向下蚀刻至基板
机译:用于正性抗蚀剂的交联剂-用于制作蚀刻和剥离掩模的是羟乙基氨基乙基酰胺,具有良好的分辨率
机译:用电子束对衬底进行光刻结构化,用于制造光掩模,例如玻璃镀铬类型,使用导电的,不溶于水的下抗蚀剂层和电子束抗蚀剂上层的体系
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