机译:低能电子束邻近投影光刻中的分辨率限制因素:掩模,投影和抗蚀剂工艺
Lithography Technology Department, Sony Corporation SSNC, 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 243-0014, Japan;
机译:用于低能电子束投影光刻的亚50 nm模板掩模
机译:邻近电子光刻技术的进展:使用低能电子束邻近投影光刻技术β的打印和覆盖性能演示
机译:邻近电子光刻技术的进展:使用低能电子束邻近投影光刻技术β的打印和覆盖性能演示
机译:低能电子束接近投影光刻技术对70 nm节点的成像能力
机译:电子束投影光刻掩模系统在曝光期间的热机械变形。
机译:基于双算子的模式转移路径规划和数字掩模投影光刻的双群蚁群算法
机译:低能量电子束接近投影光刻曝光工具开发的现状。
机译:Ionenstrahllithographie:Entwicklung Eines 1:1 proximity projektionsverfahrens auf der Basis von Channeling-masken(离子束光刻:开发基于通道掩模的1:1接近投影方法)