多晶硅薄膜应力特性研究

摘要

该文报道了低压化学气相淀积（ＬＰＣＶＤ）制备的多晶硅薄膜内应力与制备条件、退火温度和时间及掺杂黉度关系的实验结果。ＬＰＣＶＤ制备的多晶硅薄膜具有本征压应力。采用快速退炎（ＲＴＡ）可以使其压应力检驰，并可使其转变成为该文征张应力。