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成步文; 于卓; 李代宗; 黄昌俊; 余金中; 王启明;
中国物理学会;
中国电子学会;
中国有色金属学会;
GSMBE生长; SiGe材料;
机译:GSMBE生长和用于HBT的SiGeC层的结构表征
机译:异质结双极晶体管应用中GSMBE生长的Si1-x-yGexCy层的电气和材料表征
机译:绝缘子上SiGe快速熔体生长的动力学分析
机译:GSMBE生长SiGeC层及其X射线表征
机译:通过超高真空化学气相沉积的原子平Si / SiGe异质结构的生长
机译:基于SiGe材料的两种光子集成波导的研究
机译:GSMBE生长的黄色(5735Å)发射GaInP多量子阱激光器
机译:用于光电器件的原位GsmBE生长监测
机译:SSGOI材料应变Si生长过程中的低浓度SiGe缓冲剂,用于掺杂扩散控制和缺陷减少
机译:利用界面硅锗(SiGe)脉冲生长法在硅(Si)上生长稀薄锗(Ge)
机译:氧化SiGe层的表面区域的方法,稳定SGOI结构中的至少一个结界面的方法以及将SiGe层接合到由半导体材料制成的衬底层的方法
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