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一种利用NiAl合金外延生长NiSiGe材料的方法

摘要

本发明公开了一种利用NiAl合金外延生长NiSiGe材料的方法,该方法包括在SiGe层表面淀积一层NiAl合金薄膜,然后进行退火工艺,使NiAl合金薄膜的Ni原子与SiGe层的SiGe材料进行反应,生成NiSiGe材料。因为Al原子的阻挡作用,NiSiGe层具有单晶结构,和SiGe衬底的界面很平整,可以达到0.3nm,可以大幅度提高界面的性质。

著录项

  • 公开/公告号CN102468123B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-05-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201010532635.8

  • 发明设计人 张苗;张波;薛忠营;王曦;

    申请日2010-11-04

  • 分类号H01L21/02(20060101);H01L21/28(20060101);H01L21/283(20060101);

  • 代理机构31219 上海光华专利事务所;

  • 代理人余明伟

  • 地址 200050 上海市长宁区长宁路865号

  • 入库时间 2022-08-23 09:26:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-10-25

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/02 授权公告日:20150513 终止日期:20181104 申请日:20101104

    专利权的终止

  • 2015-05-13

    授权

    授权

  • 2015-05-13

    授权

    授权

  • 2012-07-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20101104

    实质审查的生效

  • 2012-07-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20101104

    实质审查的生效

  • 2012-05-23

    公开

    公开

  • 2012-05-23

    公开

    公开

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