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多新中; 刘卫丽; 王志新; 王鲁闽;
中国电子学会;
共注入; 智能剥离;
机译:退火时的外部应力对氢和氦共注入硅微结构的影响
机译:氦和氢共注入单晶硅高温退火后水泡的透射电镜研究
机译:用中间退火步骤研究共注入氦和氢,以将键合硅热分裂成氧化膜晶圆
机译:应力对氢和氦共注入硅的氢累积和微结构的影响
机译:共注入硼和氢的晶体硅的热行为。
机译:退火对氦氢顺序注入钒合金组织和硬化的影响
机译:氦氢共注入高温高压处理的直拉硅的缺陷结构。
机译:硅注入al(x)Ga(1-x)N和共注入GaN的电激活研究
机译:硅与硼,氦,氢共注入形成高Ge含量弛豫SiGe层的方法
机译:获得例如单晶硅的大规模单晶硅层表征方法。网格参数无序,涉及定性和量化由氦或氢注入层产生的约束,缺陷或结构无序
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