利用氢氦联合注入制备场效应晶体管的方法

摘要

本发明提供了一种利用氢氦联合注入制备场效应晶体管的方法，先在硅片上热氧化形成注入掩蔽氧化层，然后联合注入氢气和氦气，再在高温条件下退火形成空洞层；去掉掩蔽氧化层，然后在空洞层之上的硅膜上采用常规CMOS工艺制备出场效应晶体管。本发明提出的方法将材料制备和电路制造有机地结合起来，相比较SOI技术有效地缩短了工艺流程，降低了成本；本发明的方法和传统的CMOS工艺完全兼容，具有极大的可行性。