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谭满清;
中国电子学会;
ECR plasma CVD法; 非晶硅; 透过率;
机译:关于使用羰基钨化学汽相淀积工艺制备W涂层PFM和W管的提案和研究
机译:ECRCVD制备氢化非晶硅热结晶行为的动力学研究
机译:用HW-ECR-CVD系统制备的氢化非晶硅薄膜的Staebler-Wronski效应的半定量研究
机译:新型MWECR-CVD系统的研究和高质量氢化非晶硅薄膜的制备
机译:使用ECR-PECVD的氢化非晶硅锗薄膜和器件的高生长速率沉积。
机译:n-i-p氢化非晶硅基光伏器件的光谱椭圆偏振法研究
机译:使用ECR等离子体增强化学沉积工艺制造的非晶硅p-i-n器件的稳定性和电子性能
机译:非晶硅探测器面板的低成本制造工艺技术:在数字乳腺摄影和放射成像中的应用:aTp资助项目的前瞻性经济案例研究案例研究
机译:带状的汽相淀积衬底的工艺,该带具有一层阻挡氧化物透明的明矾气化的蒸发反应性明矾,并使反应气体进入用于汽相淀积的设备中。
机译:功能化聚合物的工艺,entrecruzarlos的工艺和desentrecruzarlos的工艺
机译:等离子体化学汽相淀积装置和制造薄非晶硅膜的方法
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