化学气相法淀积氮化钛和铜金属层大马士革工艺

摘要

本发明是一种化学气相淀积氮化钛和铜金属层的大马士革工艺，即在一台多腔体真空设备中，依次连续淀积TiN扩散阻挡层、Cu金属薄膜，并在H2－N2气氛中进行快速热退火(RTP)，从而得到晶粒大小和电阻分布都很均匀的TiSiN阻挡层和Cu金属薄膜。本发明具有的优越填孔性、保形性、以及与绝缘介质良好粘附性，工艺稳定低，流程简单，结合Cu的化学机械抛光方法，可制造出适合深亚微米超大规模集成电路Cu金属大马士革互联布线结构。