0.1-0.3μm X射线光刻技术在GaAs器件制作中的应用

摘要

对同步辐射X射线光刻及在GaAs PHEMT器件制作中的应用进行了研究，并制作出栅长0.15μm的AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT晶体管。研究结果表明，X射线光刻在剥离图形及T型栅结构制作工艺中具有极好的光刻图形质量，在混合光刻工艺中，抑止GaAs合金点的形成是取得良好对准标记的关键。