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王同祥; 李岚; 李增路; 关富民; 宋俊奎;
中国电子学会;
MESFET; 砷化镓晶体管; 工作原理; 结构设计;
机译:大功率InGaP / GaAs异质结双极晶体管的微波操作
机译:适用于基于CAD的大功率RF /微波晶体管内部匹配网络设计的建模技术
机译:基于伪形AlGaAs-InGaAs-GaAs异质结构的栅区参数对微波场效应晶体管静态特性的影响研究
机译:俄罗斯基于GaAs和GaN的大功率微波场效应晶体管和电路的技术设备
机译:大功率碳化硅和氮化镓场效应晶体管的微波非线性建模和有源倍频器设计。
机译:四元GaAs1-x-y的电子和光学性质ñX双ÿ 与GaAs晶格匹配的合金:第一性原理研究
机译:均匀和阶梯掺杂Gaas / alGaas HEmT(高电子迁移率晶体管)的直流,低频和微波特性研究。
机译:内部匹配的微波大功率场效应晶体管(FET)漏极偏置电路
机译:可以以包括不小于3.5微米的InGaAsP有源层以及InGaAsP和InP包层的简单结构获得大功率光输出的半导体发光器件
机译:内部匹配型微波晶体管的匹配电路
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