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用不同金属化系统制备n-GaN欧姆接触的研究

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在n-GaN上制备Ti/Al/Ni/Au、Ti/Au/Pd/Au&Cr/Au/Ni/Au三种不同金属化系统,并对其不同温度下的欧姆接触的接触电阻率进行了比较和分析.室温下Ti/Al/Ni/Au & Ti/Au/Pd/Au的接触电阻率都在,但在高温下(300℃),其接触电阻率增加到以上.随着温度的升高,Cr/Au/Ni/Au的接触电阻率略有增加,室温下的电阻率有待进一步的改进.

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来源
《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2002年|268-271|共4页
会议地点厦门
作者
张小玲; 吕长志; 谢雪松; 李志国; 肖葳; 韩迎; 曹春海;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.23;TN304.055;
关键词
欧姆接触; 接触电阻率; 氮化镓薄膜;

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