MOCVD法生长p型ZnO薄膜

摘要

本文采用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法,首先使用NO混合气体作为氧源和掺氮源,在玻璃上生长了低阻p型ZnO薄膜,其最高的空穴浓度为3.94×10<'18>cm<'-3>,电阻率为1.5Ω·cm;并对薄膜进行了X射线衍射测试分析.