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卢洋藩; 叶志镇; 曾昱嘉; 徐伟中; 朱丽萍; 赵炳辉;
浙江大学硅材料国家重点实验室;
杭州;
310027 浙江大学硅材料国家重点实验室;
310027;
ZnO; p型掺杂; 金属有机化学气相沉积; 射频等离子体;
机译:气溶胶辅助MOCVD法生长In,Ga和Al掺杂的ZnO薄膜的性能:沉积温度,掺杂水平和退火的影响
机译:氮退火对常压MOCVD法在c-Al2O3上生长的ZnO薄膜结构和光致发光性能的影响
机译:退火气氛对MOCVD生长的ZnO:N薄膜的影响及XANES研究ZnO:N薄膜的p型掺杂机理
机译:生长条件对MOCVD法生长ZnO:Zn薄膜磷的发光强度的影响
机译:使用MOCVD制备的硫化锌:锰磷光体层的AC薄膜电致发光器件的制备和性能。
机译:溶胶-凝胶法和磁控反应溅射制备Eu掺杂ZnO薄膜的结构性能与能量转移的相关性
机译:mOCVD法制备TiO2薄膜生长参数的影响mOCVD法制备TiO2薄膜生长参数的影响
机译:通过mOCVD生长的p型ZnO薄膜。
机译:MOCVD法沉积有机锌前驱体和ZnO薄膜
机译:用MOCVD生长ZNO薄膜的方法。
机译:氧化锌(ZnO)基单晶纳米结构,制备ZnO基薄膜和ZnO基单晶薄膜,ZnO基单晶薄膜和ZnO基材料包含ZnO薄膜的方法
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