Department of Chemical Engineering, Chung-Ang University, Huksuk-dong 221, Dongjak-Ku Seoul 156-756, Korea;
机译:沉积条件对MOCVD生长ZnO薄膜生长速率和电学性能的影响
机译:富锌和富氧生长条件的两步生长对蓝宝石上等离子辅助分子束外延生长的(1120)ZnO薄膜性能的影响
机译:MOCVD生长的ZnS,ZnS–ZnO和ZnO薄膜的结构,发射和压电特性
机译:MOCVD生长条件对ZnO:Zn薄膜磷光磷的影响
机译:共掺杂剂对ZnS:Mn薄膜荧光粉的微观结构和电致发光的影响。
机译:富含富含型和Zn的生长条件下ALD沉积的薄ZnO膜的结构性质及其与电参数的关系
机译:ZnO的光致发光:Rf磁控溅射沉积的薄膜磷光体
机译:通过mOCVD生长的p型ZnO薄膜。