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生长参数对MOCVD法制备的p型ZnO薄膜性能的影响

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本文研究了等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法制备N掺杂p型ZnO薄膜过程中生长参数如衬底温度、射频功率、锌源流量对ZnO薄膜结晶质量和电学性能的影响.

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来源
《第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》|2006年|427-430|共4页
会议地点广西北海
作者
卢洋藩; 叶志镇; 曾昱嘉; 徐伟中; 朱丽萍; 赵炳辉;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类化合物半导体;
关键词
ZnO; p型掺杂; 金属有机化学气相沉积; 射频等离子体; 生长参数;

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