大功率AlGaInP压应变量子阱激光器的研制及特性分析

摘要

通过Zn扩散方法制备了具有窗口结构的实折射率GaInP/AlGaInP压应变分别限制量子阱激光器。所用材料在15°偏角的GaAs衬底上由有机金属气相外延(MOCVD:Metalorganic Chemical Vapor Deposition)一次外延生长得到，制备的激光器具有双沟脊波导结构，条宽和腔长分别为3μm和600μm，前后端面分别蒸镀10﹪90﹪的增透膜和高反膜。分析了室温连续激射时激光器的光电输出性能。室温下阈值电流的典型值为23 mA，输出功率为40mW时仍可保持基横模工作。室温下，40 mW连续激射时的工作电流为62mA，斜率效率为1 W/A，平行结和垂直结的远场发散角分别为10o和32o，激射波长为656.4nm。器件的内损耗为4.1cm-1，内量子效率达80％，透明电流密度为648 A/cm2。