双面抛光过程中化学作用对300mm硅片表面形貌的影响

摘要

本文利用非接触式光学轮廓仪研究了双面抛光过程中化学作用对300mm硅片表面形貌的影响,并对硅片表面的化学腐蚀机理进行了讨论.结果表明,抛光速率随pH值逐渐增大,当pH≈9.8时去除速率达到最大值,此时pH值较高的碱性溶液的各向异性腐蚀作用导致硅片表面RMS和Peak-valley值比pH值较低时明显增加.但随着pH值继续增大,去除速率缓慢地下降,表面RMS和Peak-valley值也略有下降.