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引言
第一章:文献综述
第二章实验方案
第三章CMP工艺对表面形貌的影响
第四章RCA清洗工艺对表面微粗糙度的影响
第五章结论
参考文献
在学研究成果
致谢
库黎明;
北京有色金属研究总院;
硅片; 抛光; 清洗工艺; 表面形貌; Peak-valley值; 非接触式光学轮廓仪; 预氧化; 各向异性腐蚀;
机译:非离子表面活性剂与金刚石膜电化学氧化相结合的新型清洗工艺,用于抛光硅片
机译:加工参数对凝胶耦合超细磨料抛光片抛光硅片的影响
机译:整体氧化锆的不同抛光/抛光方案和系统对表面形貌,相变和生物膜形成的影响
机译:CMP抛光垫修整剂的性能和性能对抛光垫,工艺和硅片去除率的影响
机译:表面形貌对弹性体 - 水凝胶双层复合材料基材与沉降物种与刺激性表面形貌的影响
机译:整体氧化锆的不同抛光/抛光方案和系统对表面形貌相变和生物膜形成的影响
机译:抛光仪器和抛光方案对整体氧化锆表面形貌和相变的影响:XPS和XRD分析的评估
机译:离子散射光谱法研究抛光熔融石英激光透镜的表面形貌
机译:抛光布,硅片抛光装置以及硅片的制造方法
机译:压电单晶硅片的抛光方法及压电单晶硅片的抛光方法
机译:硅片清洗工艺
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