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吴惠桢; 浙江大学; 曹萌; 劳燕锋; 刘成; 谢正生; 曹春芳;
中国仪器仪表学会;
半导体材料; 离子刻蚀; 应变多量子阱; 光致发光;
机译:聚焦离子束刻蚀,用于制造由Ⅲ-Ⅴ族半导体材料制成的微柱状微腔
机译:化合物半导体晶体管在低损伤亚100 nm钨栅极反应离子刻蚀过程中的等离子体发射光谱
机译:平面电感耦合等离子体反应器中Ⅲ-Ⅴ族半导体的BCl_3 / Ne刻蚀
机译:通过电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP-RIE)和Ⅲ-Ⅴ材料的原子层刻蚀(ALE)进行低损伤刻蚀,以实现下一代器件性能。
机译:硅/硅锗化物异质结构的各向异性碳氟化合物等离子体刻蚀和等离子体刻蚀引起的侧壁损伤
机译:使用纳米球刻蚀,软刻蚀和等离子刻蚀制造的等离子纳米结构
机译:SiC电感耦合等离子体刻蚀的机理和表面损伤
机译:磁控管增强型反应离子刻蚀III族氮化物半导体材料
机译:等离子体刻蚀去除半导体材料表面损伤的方法和装置
机译:用等离子体刻蚀去除半导体材料表面损伤的方法和装置
机译:等离子体刻蚀消除半导体材料表面损伤的方法和装置
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