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第1章 绪 论
1.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的应用及发展现状
1.2 半导体制造业发展现状与展望
1.3 刻蚀技术在半导体器件制备中的应用及发展
1.3.1 湿法刻蚀技术的应用
1.3.2 干法刻蚀技术的应用,分类与比较
1.4 ICP刻蚀技术的发展及研究现状
1.5 本论文的研究目的,意义及主要内容
1.5.1 GaAs基材料有角度的表面形貌刻蚀研究
1.5.2 GaAs/AlGaAs基DBR材料的刻蚀研究
1.5.3 ITO薄膜材料的刻蚀研究
第2章 ICP刻蚀仪器及其刻蚀机理介绍
2.1 ICP刻蚀设备简介
2.1.1.ICP刻蚀系统原理介绍
2.1.2.Corial 200L ICP刻蚀系统特点介绍
2.2 ICP系统等离子体特征及其刻蚀机理
2.2.1.感应耦合等离子体产生原理
2.2.2.感应耦合等离子体分布特征
2.2.3.感应耦合等离子体刻蚀机理
2.2.4.感应耦合等离子体刻蚀表面作用模型分析
2.3 ICP刻蚀的基本要求
2.3.1 刻蚀速率
2.3.2 刻蚀侧壁的角度及形貌
2.3.3 刻蚀选择比
2.3.4 刻蚀均匀性
2.4 影响ICP系统刻蚀结果的因素
2.4.1 刻蚀气体的选择及气体中各成分所占比例
2.4.2 气体流速和反应室的压力
2.4.3 刻蚀样品基片的温度
2.4.4 ICP功率的影响
2.4.5 RF功率的影响
2.4.6 掩膜的形状对刻蚀结果的影响
2.5 SEM测试仪及原理简介
2.6 本章小结
第3章 ICP对GaAs进行有角度的表面形貌刻蚀的研究
3.1 对GaAs进行有角度刻蚀的刻蚀机理
3.1.1 GaAs的刻蚀机理:
3.1.2 实现有角度刻蚀的条件
3.2 不同工艺参数对刻蚀速率、选择比的影响规律
3.2.1 Cl2对刻蚀速率及选择比的影响
3.2.2 RF功率对刻蚀速率及选择比的影响
3.2.3 ICP功率对刻蚀速率及选择比的影响
3.3 优化刻蚀形貌
3.3.1 C2H4对刻蚀侧壁进行优化
3.3.2 RIE(反应离子刻蚀)优化侧壁
3.3.3 刻蚀条件对垂直度的影响
3.4 有角度表面形貌的刻蚀在LED制备中的应用
3.5 本章小结
第4章 ITO材料的刻蚀研究
4.1 实验准备及介绍
4.1.1.湿法刻蚀技术与干法刻蚀技术的比较
4.1.2.光刻胶掩膜的制备条件对刻蚀结果的影响
4.2 ITO材料的刻蚀机理
4.3 ITO刻蚀规律研究
4.3.1.RF功率对刻蚀速率和掩膜的影响
4.3.2.ICP功率对刻蚀速率和掩膜的影响
4.3.3.工作压强对刻蚀速率的影响
4.3.4.气体流量和比例对刻蚀速率的影响
4.3.5.刻蚀条件对刻蚀形貌的影响
4.4 本章小结
第5章 AlGaAs材料的刻蚀研究
5.1 AlGaAs材料的刻蚀机理
5.2 优化AlGaAs材料的刻蚀
5.2.1 增强RF功率
5.2.2 改变气体比例
5.3 本章小结
结 论
参考文献
攻读学位期间发表的论文
致 谢