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Method and apparatus for the removal of surface damage in semiconductors - materials by means of plasma - etching

机译:用等离子体刻蚀去除半导体材料表面损伤的方法和装置

摘要

A high pressure plasma is used in conjunction with a plasma assisted chemical etching material removal tool 10 to rapidly remove subsurface damage from a substrate without mechanically contacting the surface and without introducing new microscopic or atomic damage to the substrate. IMAGE
机译:高压等离子体与等离子体辅助化学蚀刻材料去除工具10一起使用,以快速去除衬底表面的损伤,而无需与表面机械接触,也不会对衬底造成新的微观或原子损伤。 <图像>

著录项

  • 公开/公告号DE69301942T2

    专利类型

  • 公开/公告日1996-08-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HUGHES AIRCRAFT CO US;

    申请/专利号DE1993601942T

  • 发明设计人 ZAROWIN CHARLES B US;BOLLINGER L DAVID US;

    申请日1993-02-19

  • 分类号H01J37/32;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-22 03:41:01

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