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机译:高压电容耦合BCl3 / N2等离子体中GaAs和AlGaAs / GaAs的非选择性垂直蚀刻
机译:相变材料GeTe在感应耦合BCl3 / Ar等离子体中的相变记忆蚀刻特性
机译:在高密度平面感应耦合BCl / sub 3 /等离子体中干法腐蚀GaAs基半导体
机译:用于电子材料蚀刻的高密度电子回旋共振和感应耦合等离子体源的比较:电子材料的新等离子体蚀刻方案。
机译:不同氟基混合气体使用电感耦合等离子体干法刻蚀钛酸钡薄膜的比较分析
机译:高密度平面电感耦合BCL3 / SF6PLASMA中的Algaas和Ingap半导体选择性蚀刻GaAs和InGap半导体的研究
机译:基于BCl3的化学中III-V半导体的电感耦合等离子体蚀刻:第1部分:Gaas,GaN,Gap,Gasb和alGaas;应用表面科学