垂直磁场下GaAs/AlAs/InGaAs应变RTD电流输运特性研究

摘要

通过研究垂直磁场对GaAs/AlAs/InGaAs应变RTDⅠ-Ⅴ特性的影响,从实验上解释了Ⅰ-Ⅴ负阻区"平台"现象来源于发射极子能级和量子阱子能级之间的相互耦合.外加垂直磁场抑制电子共振能级隧穿,引起峰值电流随磁场线性减小,导致峰谷电流比下降,同时峰值电压也发生相应的变化。