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基于InGaAs/AlAs 材料的共振隧穿二极管

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摘要

本发明涉及二极管技术领域，尤其是一种基于InGaAs/AlAs的共振隧穿二极管，在InP衬底层上制作具有不同In组分的InGaAs形成分级发射层结构。可以降低电子在二极管内部的渡越时间，提高工作速度；采用应变In

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-07-17

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L29/88 申请公布日:20160810 申请日:20150112

发明专利申请公布后的驳回
2016-09-07

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/88 申请日:20150112

实质审查的生效
2016-08-10

公开

公开

1. 基于InGaAs/AlAs 材料的共振隧穿二极管 [P] . 中国专利： CN105845743A . 2016-08-10
2. 基于InGaAs/AlAs材料的共振隧穿二极管 [P] . 中国专利： CN105845741A . 2016-08-10
3. Optical signal processing apparatus, has photodiode for converting optical signal to electrical signal that is input to resonant tunneling diode having quantum mechanical resonance effect to perform switching operation [P] . 德国专利： DE102004050106A1 . 2006-04-27

机译：光信号处理装置，具有用于将光信号转换为电信号的光电二极管，该光电二极管输入到具有量子机械共振效应的共振隧穿二极管以进行切换操作
4. METHOD OF DETERMINING RESISTANCE TO RADIATION AND TEMPERATURE EFFECTS OF NANOELECTRONIC RESONANT-TUNNELING DIODE (RTD) BASED ON MULTILAYER ALGAAS (ALUMINIUM, GALLIUM, ARSENICUM) SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES [P] . 俄罗斯专利： RU2606174C1 . 2017-01-10

机译：确定基于多层铝（铝，镓，砷）半导体异质结的纳米电子共振隧穿二极管（RTD）的抗辐射和温度效应的方法
5. Tunneling diode, tunneling transistor, tunneling photodiode, and tunneling phototransistor with the structure of graphene-insulator-semiconductor [P] . 韩国专利： KR101479395B1 . 2015-01-05

机译：具有石墨烯-绝缘体-半导体结构的隧穿二极管，隧穿晶体管，隧穿光电二极管和隧穿光电晶体管