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方晓明; 沈学础; 侯宏启; 冯巍; 周钧铭;
中国科学院上海技术物理研究所红外物理开放实验室;
中国科学院物理研究所;
InGaAs-GaAs; 量子阱; 光电谱; 应变层;
机译:利用差分光电流确定在[111] B GaAs衬底上生长的应变InGaAs量子阱中的压电场
机译:GaAs样品和掺有浅受体的InGaAs / GaAsP量子阱异质结构的杂质光电流谱中的Fano共振
机译:通过选择性区域MOCVD在低成分InGaAs衬底上的应变层InGaAs-GaAs-InGaP埋入异质结构量子阱激光器
机译:通过选择性区域金属化学气相沉积,应变层IngaAs-GaAs-Algaas单量子阱宽谱
机译:通过使用应变平衡和分布布拉格反射器优化InGaAs量子阱,改善GaAs太阳能电池中的子带隙载体收集
机译:InGaAs / GaAs / AlGaAs阶跃量子阱中带间激发的Rashba型和Dresselhaus型圆形光电流效应引起的自旋光电流谱
机译:正常入射高性能p型应变层InGaas / alGaas和Gaas / alGaas量子阱红外光电探测器的研究
机译:具有量子阱-势垒层界面结构的GaAs衬底上的应变层InGaAs量子阱半导体激光器
机译:在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
机译:具有InGaAs压缩应变量子阱有源层的半导体激光元件
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