用光伏谱方法研究InGaAs/GaAs应变量子阱的性质

摘要

采用低温光伏谱方法，研究了庆变Ｉｎ０．１８Ｇａ０．８２／ＧａＡｓ单量子阱结构中各子能级之间的光跃迁，并与理论计算的结果进行比较，对光伏谱的谱峰跃迁有量随温度变化的分析，表明量子阱中的应米与温度基本无关，了光伏谱的谱峰半高宽度随温度的变化关系，讨论了声子关关，混晶组分起伏及界面不平整对光伏谱谱宽度的影响。