射频磁控溅射掺Al<'3+>ZnO薄膜的光致场发射研究

摘要

氧化锌(ZnO)具有较宽的带隙(3.3eV)和较低的亲和势(3.0eV),有可能用作薄膜场发射中的阴极材料。本文主要研究了采用射频溅射法制备不同掺杂(Al<'3+>)浓度ZnO薄膜时,掺杂浓度对光致场发射的影响。通过SEM电镜观察样品表面,发现表面存在纳米晶化颗粒,正是这些晶粒成为发射中心。当掺杂浓度为30at％,3w光源照射时,薄膜阴极开启电场为3.8V/μm。