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王欣; 王发展; 王哲; 何银花; 马姗; 吴振;
西安建筑科技大学材料与矿资学院;
西安建筑科技大学机电工程学院;
第一性原理; ZnO纳米管; 场致发射; 共掺杂;
机译:N-Al / Ga / In共掺杂ZnO p型电导率的第一性原理研究
机译:第一性原理共掺杂C-Al(Ga)对氧化锌p型趋势的影响
机译:掺Gd〜(3+)或Gd〜(3 +)-Pr〜(3+)共掺杂的Ⅲ-Ⅲ型钙钛矿型RMO_3的UV发射(R = Y,La; M = Al,Ga)
机译:碳纳米管吸附气体场发射特性的第一性原理研究
机译:纳米结构中的电子场发射:第一性原理研究。
机译:通过PECVD在金属合金基底上合成的碳纳米管场发射体用于X射线源应用中的定制紧凑型场致发射器件
机译:碳纳米管和石墨烯纳米带的场发射的第一性原理研究
机译:具有碳纳米管阴极的三极管型场发射器件阴极三极管型射频真空装置及其场发射显示器
机译:场发射型电子源阵列的制造方法,场发射型电子源阵列及其制造装置以及碳纳米管的分离纯化方法
机译:碳纳米管和碳纳米管组件,场发射型冷阴极电子发射元件,使用相同电子发射元件的生产和显示装置
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