不同栅氧厚度NMOS管的热载流子效应以及相关参数提取

摘要

热载流子是器件可靠性研究中的一个重要方面。特别对于亚微米器件，热载流子失效是器件失效的最主要一个方面。通过对这种失效机理及其失效模型的研究，为设计和工艺提供帮助，从而有效降低由热载流子引起的电路失效，提高工艺可靠性。本文主要针对几种典型工艺的栅氧厚度(例如：Tox分别为150(A)、200(A)、250(A))的NMOSFET进行加速应力试验，运用提取到的相关模型参数，估计这些器件在正常工作条件下的寿命值，同时对亚微米工艺器件寿命进行快速评价。