高质量无应变InAlN/GaN异质结材料研究

摘要

采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法外延生长了InAlN/GaN异质结材料,研究了In组分与生长温度、生长压力和Ⅴ/Ⅲ比的关系,外延生长出无应变的17%In组分InAlN材料。采用XRD、反射光谱、TEM和AFM等手段对材料进行测试分析。实现了InAlN/GaN异质结室温下二维电子气浓度2.6×10 13cm-2、迁移率1150 cm2/V·s、方块电阻210Ω/□。本文是国内对InAlN/GaN异质结材料的首次报道。