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中国电子学会;
广州市科协;
化合物半导体; 氮化铝薄膜; 透射电镜; 位错密度; 脉冲缓冲层; 外延生长;
机译:AlN缓冲层对通过脉冲激光沉积在蓝宝石衬底上沉积的AlN薄膜的微观结构和带隙的影响
机译:(0001)蓝宝石上高温AlN缓冲层上的低位错密度GaN生长
机译:通过引入脉冲原子层外延缓冲层降低AlN外延层中的螺纹位错密度
机译:使用高温生长的单晶AlN缓冲层在蓝宝石衬底上制造的GaN基蓝紫色激光二极管的室温工作
机译:氮化镓/蓝宝石界面和蓝宝石衬底上缓冲层的TEM表征通过MOCVD。
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:通过MOCVD表征蓝宝石衬底上生长的AlN缓冲层和厚GaN层
机译:低压金属有机化学气相沉积法研究基面蓝宝石和siC衬底上alN和GaN层初始生长的微观结构比较
机译:通过激光烧蚀在含缓冲层的蓝宝石衬底上原位生长含氟超导Y-Ba-Cu-O薄膜
机译:在位错密度降低的蓝宝石衬底上形成III-V族氮化物膜
机译:具有在高温下生长的AlN缓冲层的GaN半导体器件及其制造方法
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