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张森; 尹甲运; 刘波; 冯志宏; 冯震; 蔡树军;
中国电子学会;
广州市科协;
氮化铝薄膜; 多模式生长; 渐变模式; 晶体质量; 表面平整度; 表面形貌; 金属有机物; 化学气相沉积;
机译:AlN缓冲层对通过脉冲激光沉积在蓝宝石衬底上沉积的AlN薄膜的微观结构和带隙的影响
机译:通过生长模式改性通过引入空隙来生长高质量的Aln膜在蓝宝石衬底上
机译:使用反应溅射在MO电极/蓝宝石衬底上的ALN薄膜的低温外延生长
机译:AlN缓冲剂对MOCVD在蓝宝石衬底上生长AlN薄膜性能的影响
机译:块状AlN单晶衬底上的富铝AlGaN和AlN生长
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:在轴上蓝宝石衬底上的N极性GaN的mOCVD生长:alN的影响 GaN表面小丘密度上的成核层
机译:alN涂层siC衬底上alN单晶的升华生长。阶段1
机译:高质量的α-Ga2O3薄膜通过纳米棒图案蓝宝石衬底上的杂交气相外延生长及其制造方法
机译:蓝宝石衬底上的多指大外围AlInN / AlN / GaN金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管
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