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桑立雯; 秦志新; 方浩; 代涛; 杨志坚; 沈波; 张国义; 张小平; 俞大鹏;
北京大学介观物理和人工微结构国家重点实验室宽禁带半导体研究中心;
北京大学电镜室;
化合物半导体; 位错; 透射电镜; 蓝宝石; 氮化铝;
机译:通过引入脉冲原子层外延缓冲层降低AlN外延层中的螺纹位错密度
机译:通过使用渐变AlxGa1-xN / AlN多缓冲层倾斜在AlN /蓝宝石模板上生长的Al0.45Ga0.55N外延层中的位错倾斜来放松压缩应变
机译:通过(AlN / GaN)多缓冲层结构的受控应变减少AlGaN / AlN / SiC外延层中的螺纹位错
机译:LT-AlN缓冲层对AlGaN层中螺纹位错密度的影响
机译:用于稳定双极二极管的4H-碳化硅的低基面位错密度外延层的生长。
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:在si上外延生长Ge应变松弛缓冲层,具有低穿透位错密度
机译:alGaN外延层生长的alN模板中漏斗缺陷内的不稳定位错
机译:球的自组装层通过缺陷过滤生长的低位错密度外延层
机译:用于在半导体部件的外延层中尽可能减小堆垛层错密度的方法。
机译:具有外延生长的层的退火以形成具有低位错密度的半导体结构的半导体方法
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