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刘志恩;
无;
晶棒滚圆; 衬底倒角; 硅; 外延;
机译:穿线位错密度和介电层对硅衬底上晶片尺寸外延生长的p型锗制成的高空穴迁移率金属半导体场效应晶体管的温度相关电特性的影响
机译:将硅和氧离子注入到蓝宝石衬底上的异质外延硅层中对CMOS IC SOS技术的n沟道晶体管泄漏电流的影响
机译:衬底取向对使用HfO_2和硅界面钝化层的GaAs金属氧化物半导体电容器和自对准晶体管的电和材料性能的影响
机译:通过降低ALN缓冲层中的位错密度,在Si衬底上降低AlGaN / GaN高电子 - 迁移率 - 晶体管结构的缓冲漏电流
机译:薄膜晶体管应用的多晶硅/电介质/衬底材料系统:材料特性对晶体管性能和可靠性的影响。
机译:使用不同缓冲层配置的200mm硅(111)衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构研究
机译:低位错密度块状GaN衬底上AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的可靠性:表面台阶边缘的含义
机译:利用横向外延过度生长在Ge涂层si衬底上生长的低位错密度Gaas外延层
机译:在硅衬底上沉积氧化硅层的方法,该方法用于形成例如硅的栅极。 N沟道金属氧化物半导体晶体管,包括在硅锗上形成硅层以在衬底上沉积氧化物层
机译:具有氮化物半导体衬底和氮化物半导体层的氮化物半导体激光元件,其上层叠有氮化物半导体衬底和氮化物半导体层,该氮化物半导体层具有在膜厚不同的部分的氮化物半导体衬底和氮化物半导体层的高位错密度区域中形成的凹部。
机译:该太阳能电池包括具有光接收表面的晶体硅衬底;(I)在衬底的光接收表面上制备的嵌入层或绝缘层;(II)在绝缘层上制备的n型硅层;和制造方法太阳能电池
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