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GaP单晶衬底的位错密度对LED用LPE材料的影响

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ＧａＰ单晶衬底的位错密度对ＬＥＤ用ＬＰＥ材料的影响李桂英杨锡震孙寅官王亚非（北京师范大学物理系，北京１００８７５）关键词：ＧａＰＬＥＤ位错ＬＰＥ１前言高效率绿色发光二极管（ＬＥＤ）的少数载流子扩散长度接近７μｍ［１］。当外延层的位错密度过高时，位错间...

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来源
《稀有金属》 |1997年第5期|389-391|共3页
作者
李桂英; 杨锡震; 孙寅官; 王亚非;
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作者单位

北京师范大学物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN310.4;
关键词
位错; 磷化镓; 单晶; 衬底; 发光二极管; 外延生长;

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