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机译:用于在半导体部件的外延层中尽可能减小堆垛层错密度的方法。
公开/公告号DE1944131A1
专利类型
公开/公告日1970-03-19
原文格式PDF
申请/专利权人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP.;
申请/专利号DE19691944131
发明设计人 SPIROANDREA;YOUNG DOOVEN;
申请日1969-08-30
分类号H01L7/36;
国家 DE
入库时间 2022-08-23 10:49:58
机译: 包含低位移密度的外延层的多层结构,使用相同结构的半导体器件及其制造方法来体现低位移密度并减小厚度
机译: III-V型半导体外延生长的方法和装置,低温高密度等离子体的产生,表观金属氮化物层,表观金属氮化物异质结和半导体
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