ESD应力下多指条MOS器件的栅过耦合效应及对策

摘要

ESD保护电路中经常使用栅耦合技术来解决多指条MOS器件ESD应力下非均匀导通的问题,但耦合到栅端的电压有时会过高,出现栅过耦合效应,这降低了器件的抗ESD能力。在栅端加钳位元件的方法可以有效避免栅过耦合效应,另外,采用衬底触发技术可以完全避免栅过耦合效应。