MEMS高g值加速度传感器封装技术研究

摘要

本文以一种自制的四梁结构压阻式高g值MEMS加速度传感器芯片的封装为研究对象，从模态及静态角度分析了封装对高g值加速度计的影响，并对封装过程中芯片粘结工艺产生的残余应力进行了热应力仿真分析，最后通过拉曼测试进行验证。结果表明，封装对高g值加速度计的前三阶固有频率影响较小；对三种常用材料而言，不锈钢材料更适合作为封装材料；同时，研究表明，封装会降低结构的灵敏度，这与封装材料及粘结材料的杨氏模量有关；封装中，芯片粘结工艺会产生较大的残余应力，温度固化过程热残余应力的仿真可以作为器件设计及封装设计的参考依据。