双纳米硅p层优化非晶硅太阳能电池

摘要

采用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 技术在高功率密度、高反应气压和低衬底温度下制备出不同氢稀释比(RH)的硅薄膜.通过高分辨透射电镜(HRTEM)图像与拉曼谱显示在较高氢稀释比条件下生长的薄膜为纳米硅(nc-Si)薄膜,纳米硅颗粒尺寸约为3～5nm.我们研究了不同氢稀释比下纳米硅薄膜光学带隙的变化趋势,实验结果表明,随着氢稀释比的增加,纳米硅薄膜的光学带隙逐渐增加.我们提出双纳米硅p改善非晶硅太阳能电池,发现双纳米硅p 层电池效率比单纳米硅p层的电池效率提高了17%.