法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-08-12
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/0376 申请公布日:20130130 申请日:20121105
发明专利申请公布后的视为撤回
2013-03-13
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/0376 申请日:20121105
实质审查的生效
2013-01-30
公开
公开
机译: 晶体薄膜半导体器件例如光电电池具有p型多晶硅层,该p型多晶硅层是通过使形成在玻璃基板上的非晶硅层结晶而形成的
机译: 在包含至少一种半导体材料的纳米颗粒上制备包含石墨烯的碳层的方法,以及在包含至少一种半导体材料,特别是金属氧化物和复合材料的纳米颗粒上制备包含石墨烯的碳层的反应容器
机译: 一种将碳纳米颗粒锚固在基体材料表面上的方法,该基体包括具有碳纳米颗粒锚固层的基体材料