amorphous semiconductors; crystal defects; elemental semiconductors; nanostructured materials; plasma deposition; semiconductor junctions; silicon; solar cells; 11.8 percent; 9.5 percent; Paschen Law; Si-Si:H; amorphous silicon-nanocrystalline silicon double junction;
机译:用氢化非晶硅氧化物(a-SiOx:H)顶电池制造双结和三结太阳能电池
机译:硅纳米线的开发具有优化特性和径向结太阳能电池的制造与<100nm非晶硅吸收层
机译:通过结合双层氢化纳米晶硅结构改进非晶硅n-i-p太阳能电池
机译:大面积非晶硅/纳米晶硅双结太阳能电池的制造
机译:通过化学退火制造高质量,低带隙的非晶硅和非晶硅锗合金太阳能电池。
机译:了解径向结非晶硅薄膜太阳能电池中的光收集
机译:化学退火法制备高质量,低带隙的非晶硅\ u26非晶硅锗合金太阳能电池
机译:高效非晶和微晶硅基双结太阳能电池,采用超高频辉光放电,第一阶段,最终技术报告,2002年8月21日至2003年5月20日。