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机译:用于制造由不同性质的层形成的金属物体的方法
公开/公告号FR473435A
专利类型
公开/公告日1915-01-12
原文格式PDF
申请/专利权人 ALFRED SCHYLLA;
申请/专利号FRD473435
发明设计人 SCHYLLA ALFRED;
申请日1914-06-13
分类号B22D19/00;
国家 FR
入库时间 2022-08-24 14:05:28
机译: 制造由不同合金层形成的金属物体的方法
机译: 半导体器件制造工艺涉及在通过沉积介电层和低介电常数层形成的结构的表面上沉积金属层,并通过化学机械抛光去除金属层
机译: 集成电路的制造方法,包括在金属层上沉积硅层,执行结构化工艺以在电介质层上形成电极,执行温度步骤以及使金属层硅化