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机译:半导体表面蚀刻制造过程控制和测量技术
公开/公告号US3523842A
专利类型
公开/公告日1970-08-11
原文格式PDF
申请/专利权人 ARMY USA;
申请/专利号USD3523842
发明设计人 WILLIAM B. GLENDINNING;
申请日1967-03-31
分类号H01L7/44;H01L7/50;
国家 US
入库时间 2022-08-23 10:21:24
机译: 半导体表面蚀刻制造过程控制和测量技术
机译: 用于半导体基板的表面蚀刻装置,以及通过使用该表面蚀刻装置来制造具有在其表面上形成的不均匀形状的半导体基板的方法
机译: 制造包括气相刻蚀过程的半导体单镜面镜晶圆的方法,以及用该方法制造的半导体单镜面镜晶圆的方法