半导体基板的表面蚀刻装置、以及使用该表面蚀刻装置制造在表面形成有凹凸形状的半导体基板的方法

摘要

本发明的课题在于提供将与半导体基板产生发热反应的气体用作蚀刻气体，且能应对批量生产的对半导体基板进行蚀刻的装置。本发明的半导体基板的表面蚀刻装置包括：加载互锁真空室；蚀刻室，其能够减压至大气压以下；卸载互锁真空室；输送机构，其用于将收纳有半导体基板的托盘从所述加载互锁真空室经由所述蚀刻室输送到所述卸载互锁真空室为止；以及冷却机构，其冷却所述半导体基板和/或所述托盘，其中，在所述蚀刻室中具有多个喷嘴，该多个喷嘴用于对收纳在所述托盘上的半导体基板表面喷射蚀刻气体。