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A PERIPHERAL CIRCUIT DESIGN FOR FIXED INSULATIONNGATE SEMICONDUCTOR ME MORIES

机译:固定绝缘门半导体存储器的外围电路设计

摘要

PURPOSE:A circuit design for reducing power consumption during WRITE-time and, at the same time, for reading speed.
机译:目的:一种电路设计,用于减少写入期间的功耗并同时提高读取速度。

著录项

  • 公开/公告号JPS51114037A

    专利类型

  • 公开/公告日1976-10-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NIPPON ELECTRIC CO;

    申请/专利号JP19750038607

  • 发明设计人 KAMATANI MICHITOKU;

    申请日1975-04-01

  • 分类号G11C17/00;G11C5/00;G11C16/06;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-23 03:17:35

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