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机译:在衬底区域,特别是半导体衬底区域中附着窄槽或间隙的方法
公开/公告号DE3245064A1
专利类型
公开/公告日1983-06-16
原文格式PDF
申请/专利权人 N.V. PHILIPS GLOEILAMPENFABRIEKEN 5621 EINDHOVEN NL;
申请/专利号DE19823245064
发明设计人 MAAS HENRICUS GODEFRIDUS RAFAEL;APPELS JOHANNES ARNOLDUS 5621 EINDHOVEN NL;
申请日1982-12-06
分类号H01L21/316;
国家 DE
入库时间 2022-08-22 10:04:17
机译: 在基体区域中,特别是在半导体基体区域中提供窄槽或狭槽的方法
机译: 在衬底区域,特别是半导体衬底区域中提供窄槽或狭缝的方法
机译: 用几乎平坦的沟槽和窄的沟槽绝缘半导体基体的有效区域的方法及相应的装置