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机译:基于A5B5型半导体的具有双异质结构的光电元件
公开/公告号CS225191B1
专利类型
公开/公告日1984-02-13
原文格式PDF
申请/专利权人 KOVAC JAROSLAV ING.CS;SRNANEK RUDOLF ING.CSC.CS;JAKABOVIC JAN ING.CS;
申请/专利号CS19820000775
发明设计人 KOVAC JAROSLAV ING.CS;JAKABOVIC JAN ING.CS;SRNANEK RUDOLF ING.CSC.CS;
申请日1982-02-04
分类号H01L33/00;
国家 CS
入库时间 2022-08-22 09:22:37
机译: p型ZnO基化合物半导体层的制造方法,ZnO基化合物半导体元件的制造方法,p型ZnO基化合物半导体单晶层,ZnO基化合物半导体元件和n型ZnO基化合物半导体层叠结构
机译: 制备P型ZnO基复合半导体层的方法,制备ZnO基复合半导体元件的方法,P型ZnO基复合半导体,单晶层,ZnO基复合半导体粉体,ZnO