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Multi-level metallization structure having a semiconductor device and a method for producing Divan

机译：具有半导体器件的多层金属化结构及其制造Divan的方法

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公开/公告号KR840008215A

专利类型
公开/公告日1984-12-13

原文格式PDF
申请/专利权人 글렌 에이치. 브루스틀;
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申请/专利号KR19840000622
发明设计人 알버트 웨인 피셔;
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申请日1984-02-10
分类号H01L23/00;
国家 KR
入库时间 2022-08-22 08:01:13

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