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公开/公告号CN1933141B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-08-31
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN200610077873.8
发明设计人 朴济民;金炳鈗;
申请日2006-05-10
分类号
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人刘光明
地址 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地
入库时间 2022-08-23 09:07:23
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-08-31
授权
2007-05-16
实质审查的生效
2007-03-21
公开
机译: 具有硅化物层的接触结构,采用该接触结构的半导体器件以及制造该接触结构和半导体器件的方法
机译: 具有硅化物层的接触结构,采用相同结构的半导体器件,以及制造相同结构的方法
机译:具有触摸屏功能的可折叠OLED IGZO 13.3型OLED个人的新晶体结构半导体能源实验室半导体器件方案使用氧化物半导体的新型器件方案
机译:开发用于评估具有接触压力的半导体器件的探测系统,该接触压力包括显微镜下的视野之外的接触点和接触点维护控制功能
机译:用于32 nm互补金属氧化物半导体器件的具有乙硼烷还原钨原子层沉积法的低电阻成核层的新型接触插拔工艺
机译:使用非接触电调制的半导体器件结构的表征
机译:通过点接触反应,纳米硅器件的镍硅/硅/硅镍和铂硅/硅/铂硅纳米线异质结构形成纳米硅化物。
机译:使用导电原子力显微镜快速准确无损地诊断纳米级半导体器件中的接触故障
机译:开发半导体器件的接触材料。过渡金属/硅界面的电气性能和晶体结构。
机译:使用金属卤化物制造具有阻挡膜形成的半导体器件的方法及其产品。